IBM anuncia avance en memorias PCM

Por primera vez científicos de IBM Research demostraron que las memorias de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés) pueden, de manera fiable, almacenar múltiples bits de datos por celda durante largos períodos de tiempo.

Científicos de IBM Research demostraron que las memorias de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés) pueden, de manera fiable, almacenar múltiples bits de datos por celda durante largos períodos de tiempo.

Esto implica un gran avance en el desarrollo de memorias más duraderas, rápidas y a un menor costo para los dispositivos de consumo, incluyendo teléfonos móviles y almacenamiento en la Nube.

Con una combinación de velocidad, resistencia, no volatilidad y densidad, la PCM permite grabar y recuperar datos 100 veces más rápido que la memoria flash, tiene una alta capacidad de almacenamiento y no pierde datos cuando la unidad está apagada.

Otra diferencia de flash es que la PCM es muy resistente y puede soportar al menos 10 millones de ciclos de escritura, en comparación con la actual clase empresarial de flash, a 30.000 ciclos, o de la clase comercial, a 3.000 ciclos.

Hasta ahora, la retención de datos confiable sólo se había demostrado en un solo bit por celda PCM, pero nunca en varios bits.

El proyecto de investigación PCM de IBM Research - Zurich seguirá siendo estudiado en el Centro de Nanotecnología Binnig y Rohrer, que es operado conjuntamente por IBM y ETH Zurich, como parte de una asociación estratégica en materia de nanociencias.

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